一、国产 DRAM 里程碑：长鑫 LPDDR6 全球首发量产，半年报大幅扭亏

• 8月28日晚，长鑫科技发布上市后首份半年度报告：2026 年上半年实现营业收入 1503.1 亿元，同比增长 873.64%；归母净利润 776.05 亿元，同比扭亏为盈（据证券时报 8 月 29 日报道及公司半年度报告）。公司在报告中表示，业绩变化主要源于全球算力需求增长、DRAM 产品供不应求与价格上行，同时提示 DRAM 行业受供需波动影响较大、价格持续大幅上涨不具备可持续性。
• 8月29日，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存 LPDDR6 实现量产，将首批搭载于小米 18 Fold 折叠旗舰手机。据北京商报等公开报道，这是全球 LPDDR6 产品首次落地商用；小米自研玄戒 O3 处理器为首个完整支持 LPDDR6 的移动平台，双方为联合首发（据公开信息，以相关厂商官方发布为准）。公司披露其 LPDDR6 峰值速率达 12800Mbps。LPDDR6 是 JEDEC 于 2025 年 7 月发布的最新低功耗内存标准，面向端侧 AI 等高频高负载场景。产能方面，长鑫科技规模居中国第一、全球第四（据证券时报、每日经济新闻等公开报道）。

这是国产存储第一次在新一代移动内存标准上与国际大厂同期进入商用阶段。从产业传导看，长鑫的扩产与产品高端化（DDR5、LPDDR6 及 HBM 布局）意味着 12 英寸产线对刻蚀、薄膜沉积、清洗等前道工序以及先进封装产能的持续投入；而在 DRAM 制程微缩趋缓的背景下，介质层与金属层沉积的均匀性控制，正成为决定良率与可靠性的关键变量之一。

二、设备与封测企业中报季：AI 需求向收入端传导，「平台化」布局提速

• 8月19日，中微公司发布 2026 年半年度报告：上半年实现营业收入 66.91 亿元，同比增长 34.89%；扣非归母净利润 11.23 亿元，同比增长 108.36%（归母净利润含较大规模投资相关收益）。公司同日公告拟投资 35 亿元在上海临港建设产业化基地二期，用于刻蚀、薄膜、量检测设备扩产；上半年完成对众硅科技的控股权收购，补齐 CMP 化学机械抛光设备产品线（据公司公告及同花顺行业频道等公开梳理）。
• 8月20日，拓荆科技披露半年报：上半年营业收入 29.13 亿元，同比增长 49.06%；扣非归母净利润 3.67 亿元，同比增长 861.92%。公司称 PECVD、ALD 等薄膜沉积设备及三维集成设备加快技术突破与规模化应用；据媒体梳理，期末合同负债约 49 亿元（据公司半年报及证券时报、金融界等报道）。
• 8月下旬，北方华创披露 2026 年半年度报告：上半年营业收入 201.61 亿元，同比增长 24.9%，首次突破 200 亿元；据公司公开披露，期末在手订单超过 850 亿元（以官方公告为准）。
• 8月20日，长电科技发布半年度业绩预告，预计上半年归母净利润 7.7 亿至 9.5 亿元、同比增长 63.48% 至 101.70%，增长主要来自 AI 算力芯片与 HBM 封装需求，以及 2.5D/3D 等先进封装高毛利业务占比提升（据公司公告）。

四则披露指向同一个产业事实：AI 需求正从「订单」转化为「收入」，且国产设备企业的竞争重心从单点设备转向平台化布局——通过自研与并购把刻蚀、薄膜沉积、CMP、清洗等环节拼成完整方案。平台化背后是更长的验证链条与量产周期，产线对工艺一致性和稳定性的要求随之抬升，这正是在线膜厚与沉积速率监控发挥价值的环节。

三、HBM 竞争延伸至封装：Hot Chips 2026 上的先进封装路线图

本栏目上月曾梳理 HBM4 进入量产爬坡。本月的新变化在于，8月23日至25日在美国斯坦福大学举行的 Hot Chips 2026 上，SK 海力士首次在公开技术大会上系统披露 HBM 先进封装路线图，HBM 的竞争重心正从存储器件本身延伸到封装生态。

• SK 海力士官方确认，HBM4 12 层堆叠产品已进入量产，16 层产品已进入客户认证阶段（据 DIGITIMES 等报道，以官方披露为准）。
• 封装方案上，SK 海力士首次将英特尔 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）列为 2.5D 集成选项之一，与台积电 CoWoS 系列并行评估，以丰富高密度 HBM 集成的技术选择；同时披露以混合键合（Hybrid Bonding）突破 16 层堆叠限制、逐步走向 3D 集成的技术方向（据腾讯新闻、芯智讯等 8 月下旬报道）。其展示的 HBM4 规格包括 I/O 增至 2048 个、单堆叠带宽超过 2TB/s、封装内部集成超过 2 万个 TSV 与 1.6 万余个底部微凸点，封装高度约 775 微米。
• 同期，美光在 Hot Chips 2026 上提示，AI 算力与存储带宽之间的「存储墙」压力持续存在，散热与封装成为 HBM 的新瓶颈（据 DIGITIMES 报道）。

从热压键合到混合键合、从硅中介层到嵌入式桥接，封装方案的多元化正在拉高对薄膜工艺的要求：TSV 与微凸点的种子层沉积、介质层填充、再布线金属层的均匀性与应力控制，都会在高层数堆叠中被逐层放大。封装环节正在成为继前道制程之后对镀膜精度要求最高的领域之一，而其产线上的速率与厚度监控需求也随之增加。

四、TGV 玻璃基板：国产微孔装备整机定型，海外企业中试线起步

本栏目 6、7 月曾连续跟踪 TGV（玻璃通孔）从「送样验证」到「设备订单」的进展。8 月的新变化在于：国产装备进入「整机定型＋上机验证」阶段，同时海外设备企业以中试线形式验证量产工艺的集成度。

• 8月26日，华工科技在 2026 年半年度报告中披露，其 TGV 玻璃基板微孔装备已完成整机定型，并已在头部封测厂开展上机验证（据极目新闻 8 月 26 日报道）。该装备用于在 40 至 100 微米的微孔内电镀灌铜，实现玻璃基板上下层电路导通；公司产品线负责人此前介绍，其打孔速度可达每秒 6000 至 8000 孔（据极目新闻，参数以公司后续披露为准）。
• 海外侧，韩国设备企业 Avaco 于 8月11日 宣布，与关联公司 AVATEC 合作建设的中试线开始运营，支持 515×510 毫米大尺寸玻璃基板，集成激光钻孔、蚀刻、种子层沉积与光学检测全流程，用于验证 TGV 工艺在量产条件下的可重复性；其第二代激光钻孔系统 AXIUM AP-250K 每秒可加工约 1 万个通孔、公差控制在 5 微米以内。两家公司计划 2026 年内提供从激光钻孔到种子层沉积的基板样品，2027 年扩展至完成金属化的基板（据 THE ELEC 及公司新闻稿编译报道）。

玻璃基板产业化的卡点仍在「成孔—清洗—种子层沉积—填铜—平坦化」的整线良率。国产装备从「能打孔」走向「整机定型与产线验证」，海外企业以中试线验证全流程，说明行业正从单机性能竞争转向工艺集成能力竞争。其中，高深宽比通孔内壁种子层沉积的均匀性，依然是决定互连质量与良率的核心环节之一。

五、薄膜沉积装备与应用：晶圆级光学镀膜设备交付，光伏叠层整线商业化

• 8月，据 OFweek 光电信息网报道，江苏先导微电子自主研发的首台 Star600-EOSS 12 英寸晶圆级光学磁控溅射量产设备完成组装联调与工艺验证，正式交付国内头部晶圆厂。该设备采用孪生旋转阴极向上溅射结构，片内膜厚均匀性优于 ±0.3%，可支撑红外截止滤光片、AR 增透膜、光波导介质膜及 100 层以上窄带滤光片等精密光学薄膜的量产，并集成原位宽光谱在线监测系统，实现膜厚实时闭环修正。
• 8月25日，迈为股份发布 2026 年半年度报告：公司自主开发的 210H 钙钛矿/晶硅异质结叠层设备实现 32.5% 的光电转换效率，刷新其可量产技术纪录；钙钛矿/硅异质结叠层电池整线设备已进驻国内一家新能源企业生产基地，公司称这是该技术领域首个整线商业化订单完成交付（据公司半年度报告及公开报道）。叠层电池的透明导电膜与钝化层等核心结构，均依赖 PVD、PECVD、ALD 等真空薄膜沉积工艺。
• 光通信侧，据讯石光通讯网 8月14日 报道，台系光学滤光片厂商东典光电披露上半年营收同比增长约 132%，电信用滤光片出货量同比增加一倍以上，应用于 400G/800G 高速光模块的 WDM 滤光片出货量增长近五成——AI 数据中心建设正在带动精密光学镀膜的下游需求回升。

无论晶圆级光学镀膜对「原位监测、闭环修正」的强调，还是光伏叠层对大面积膜层均匀性的要求，抑或光通信镀膜对大批量稳定出货的依赖，都指向同一个产业需求：薄膜沉积走向产线化后，对沉积速率与厚度的实时、在线监控要求持续提升，而这正是以石英晶振片为核心的膜厚监控元件的典型应用场景。

（本文为行业动态栏目月度综述，数据来源：长鑫科技、中微公司、拓荆科技、北方华创、长电科技、迈为股份、华工科技等上市公司公告与半年度报告，证券时报、北京商报、每日经济新闻、极目新闻、金融界、同花顺等公开报道，DIGITIMES、芯智讯、腾讯新闻对 Hot Chips 2026 的报道，THE ELEC 及韩国 Avaco 公司新闻稿，OFweek 光电信息网、讯石光通讯网等行业媒体。文中涉及具体厂商的量产、订单与产能信息均以官方公告为准，其余数据与表述引自公开信息，不构成任何投资建议，供业内交流参考。）

联系方式 · 嘉兴晶控电子（JJK）：^[1]www.jjk.cn/contact^[2] · 官网 ^[3]www.jjk.cn^[4]

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