2026年9月行业观察：SEMI 报告全球半导体设备二季度出货 405.3 亿美元连续两季创高，国产薄膜沉积设备进入量产交付期；TGV 玻璃基板设备与中试线集中推进，HBM4 混合键合量产体系成形；原子层沉积等薄膜工艺在多领域持续验证。

行业观察 | 2026年9月 产业动态速览：设备出货连续两季创高、玻璃基板设备交付提速与 ALD 工艺验证进展

【导语】 9 月的产业信息呈现出「双向印证」的格局。向上看，SEMI 公布的二季度数据显示全球半导体设备出货金额连续第二个季度刷新历史纪录，设备景气度从「预期」落到了「已实现的出货」上。向下看，设备国产化正从「验证通过」走向「批量交付」：科创板集体业绩说明会上，中微公司、微导纳米等企业披露核心设备进入大规模交付期，同期多项政府采购公告显示，原子层沉积、PECVD 等薄膜沉积设备的中标方已基本为境内企业。与此同时，玻璃基板产业化的推进方式也从「送样与试验线」转向「设备交付与客户评价」，光学镀膜等应用侧则继续牵引对膜厚控制精度的要求。以下为 9 月行业核心动态梳理。

一、SEMI 二季度设备出货 405.3 亿美元：连续两季创纪录，大陆市场居首

• 9月3日，SEMI（国际半导体产业协会）发布《全球半导体设备市场统计报告》（WWSEMS）：2026 年第二季度全球半导体设备出货金额达 405.3 亿美元，同比增长 23%、环比增长 11%，连续第二个季度创下历史新高（据 SEMI 报告，THE ELEC、工业自动化亚洲等 9 月上旬报道）。SEMI 总裁兼首席执行官 Ajit Manocha 表示，连续创纪录的出货数据反映了产业对先进制造产能的持续投入，以满足尤其是 AI 基础设施领域的芯片需求。
• 分地区看，中国大陆以 119.1 亿美元 继续居首，环比增长 8%、同比增长 5%；中国台湾地区 以 108.9 亿美元 升至第二，环比与同比均增长 24%，主要受先进代工产能扩张带动；韩国 90.8 亿美元，环比增长 2%、同比大幅增长 54%（据 SEMI 报告及 THE ELEC 9 月 3 日报道）。北美同比增长 27% 至 35.0 亿美元，欧洲同比增长 70% 至 12.3 亿美元，日本同比下降 9% 至 24.4 亿美元。该报告由 SEMI 与日本半导体制造装置协会（SEAJ）成员单位提交的数据汇总而成，覆盖七个地区与 20 余个细分市场。
• 9 月 18 日，据中国证券报报道，业内人士透露韩国半导体制造设备关键零部件的交货周期已延长一倍以上，一家沉积设备企业高管称其零部件交货期由原来的约 4 个月延长至 10 个月，另一家激光加工设备企业从日本采购关键零部件的交期可能长达 40 个月（据中国证券报 9 月报道，21 世纪经济报道 9 月 18 日转载）。

季度出货连续创高，说明设备端的景气已不只是订单与预测层面的表述；而零部件交期的显著拉长，则提示整机企业的交付能力正受到上游供给节奏的约束。对于薄膜沉积这一类工序步骤多、单台设备价值量高的环节而言，交期压力往往会同时传导至整机厂的排产与晶圆厂的扩产节奏，也使工艺过程的稳定性控制变得更加关键——在同一腔体内长时间连续运行、保持膜厚一致性，本身就是对沉积速率监控精度与元件寿命的考验。

二、设备国产化进入集中交付与验证期：薄膜沉积环节中标方以境内企业为主

• 9月1日，中微公司在 CSEAC 2026（中国集成电路制造年会）上发布 6 款自研设备，其中薄膜沉积方向包括两款 PECVD（Performo QuaStar® ON／GE）、12 英寸 ALD 金属钼设备 Prefima Unicore™ AM，以及金属硅化物／TiN 集成系统 Preforma Uniflash®；刻蚀方向包括 70–90:1 极高深宽比刻蚀机 Primo XD-RIE™，另有碳化硅外延设备 PRISMO PDS8®（据中国证券网 9 月 1 日报道，以公司官方发布为准）。其中 ALD 金属钼设备面向 3D NAND 字线填充等应用，对深孔内壁的膜厚均匀性要求较高。
• 9月10日，科创板 2026 年半年度半导体制造、设备及材料行业集体业绩说明会召开，中微公司、华峰测控、晶合集成、微导纳米等 21 家企业参会。中微公司董事长尹志尧表示，随着客户订单进入大规模交付期，公司正持续与供应链配合提升交付能力；针对零部件涨价压力，公司称作为海外供应商的优先客户会提前做好核心零部件战略备库，同时推进国产方案导入（据科创板日报 9 月 10 日报道）。会上披露，中微已形成金桥、临港一期、南昌三大生产基地，上海临港总部暨研发中心于 8月1日 落成，广州华南总部与成都研发生产基地均计划 2027 年上半年投产（据科创板日报报道，以公司披露为准）。
• 薄膜沉积设备方面，微导纳米董事长王磊在同期说明会上表示，公司多款 ALD 与 CVD 设备 已通过重点客户验证并进入量产导入阶段，公司正通过供应链优化与前瞻性产能扩充推进设备交付（据科创板日报 9 月 10 日报道，以公司披露为准）。
• 9 月的多项政府采购公告显示，薄膜沉积设备的中标方已基本为境内企业：9月22日，中国科学院微电子研究所原子层沉积系统采购项目成交，供应商为无锡邑文微电子，成交金额 428 万元，采购货物为 AMTE SINO ALD R200PV 设备一套（据中国政府采购网成交公告）；9月11日，该所「高介电常数介质原子层沉积工艺设备」采购项目合同签订，供应商为研微（江苏）半导体科技，合同金额 1662 万元，设备型号为 Fluxus（1TM+3PM），履约期限 5 个月（据中国政府采购网合同公告）；9月15日，中国电子科技集团公司第四十四研究所 PECVD 采购项目中标候选人公示，第一候选人为无锡邑文微电子，报价 862 万元（据中招联合招标采购平台公示，公示期至 9 月 18 日）；9月9日，中国电子科技集团公司第十三研究所金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备采购项目成交候选人公示，第一候选人为浙江求是半导体设备，最终报价 1060 万元（据远东国际招标公示，公示期至 9 月 11 日）。科研端同样活跃：9月下旬，中国科学院宁波材料技术与工程研究所超高真空磁控溅射系统采购、深圳理工大学高通量磁控溅射镀膜系统（重新采购）、哈尔滨工程大学高真空磁控溅射薄膜沉积系统、西安文理学院磁控溅射镀膜设备等项目陆续公布中标结果，中标方均为境内企业，其中多项为非标定制（据中国政府采购网、中招联合招标采购平台及深圳理工大学官网 9 月下旬公告）。

从企业层面的产能扩张与交付表态，到科研院所与研究所的实际采购中标结果，指向的是同一个变化：国产薄膜沉积设备正在从「技术验证通过」跨入「批量装机与量产导入」。这一阶段的特点是考核重心前移——设备进厂后需要在真实产线的连续运行中证明膜厚重复性、颗粒水平与长期稳定性，而这些指标最终都要依靠在线膜厚与沉积速率监控来闭环确认。换言之，设备国产化率提升的中后段，往往是对过程监控能力要求最严苛的时期。

三、玻璃基板设备端提速：2 毫米厚玻璃 TGV 设备获海外订单，国内试验线持续推进

本栏目 6 至 8 月曾连续跟踪 TGV（玻璃通孔）由「送样验证」到「设备付费」、再到「整机定型与上机验证」的推进过程。9 月的新变化在于两条：一是海外设备端开始拿到面向更厚玻璃、更高难度的量产订单；二是国内载板厂的试验线进度与产能规划进一步明确。

• 9月29日，韩国设备企业 Philoptics 宣布已从一家全球客户获得 2.0 毫米厚玻璃基板 TGV 设备订单，该设备用于在厚玻璃上精密加工微孔；公司在尺寸为 510×515 毫米 的量产级玻璃基板上完成加工评价，缺陷率达 0 ppm，并获得客户对方形比（孔深与孔径之比）、腰径比等核心工艺参数的认可，同时将配套供应自动光学检测（AOI）设备（据 The Asia Business Daily、Herald Business 9 月 29 日报道，以公司公告为准）。公司方面表示，玻璃基板越厚越便于控制翘曲，但 TGV 成孔几何控制与填铜空洞风险也随之上升，提升 TGV 加工良率是整个价值链量产良率的基础。
• 国内侧，9月7日，京东方在投资者关系活动中披露，其玻璃基封装载板试验线已于 2026 年上半年实现全自动化设备通线，设计月产能 1000 片，已拉通 TGV 开孔、深孔填铜、布线等全流程工艺；2025 年完成的 20 层（9-2-9 结构） 大尺寸样品已通过多项可靠性测试并送样，该方向累计投入约 14 亿元（据每日经济新闻、与非网 9 月报道，以公司披露为准）。9月初，TPK-KY 位于中坜的 TGV 试产线启动，并与半导体封测业者展开合作，涵盖载具、基板及中介层，公司同时表示距离商业化量产仍有相当距离（据数位时代 9 月报道，以公司披露为准）。此外，9月9日至11日的 KPCA Show 2026 上，韩系设备厂商 Taesung 展出了 2.0 毫米厚玻璃芯基板的 TGV 实物样品，走完蚀刻、清洗、电镀整套制程（据与非网 9 月报道）。

值得对照的是产业内部对时间表的表述差异：设备厂已在交付可处理 2 毫米厚玻璃的机台，而载板厂对量产仍保持谨慎，公开信息显示玻璃基板成为稳定供货的封装基板仍需跨过可靠性验证与良率两道关口，量产时间窗多被指向 2027 至 2028 年。就镀膜环节看，厚玻璃带来的高深宽比通孔，其对孔壁种子层沉积均匀性的要求并未降低——孔越深、几何精度要求越高，膜厚在孔壁不同位置的一致性就越难保证，这也是成孔之后、填铜之前最需要过程监控介入的工序段。

四、HBM4 进入混合键合量产准备：材料选型落定，薄膜工序数量随堆叠层数增长

本栏目 7、8 月曾梳理 HBM4 的量产爬坡与 Hot Chips 2026 上的封装路线图。9 月的新变化在于，混合键合从技术方向转为量产体系的实际准备，同时厂商在产能分配上的动作更加明确。

• 据 The Buildout 等 9 月报道，SK 海力士已完成 HBM4 量产所需材料选型并建立量产体系，转向以 混合键合 替代传统微凸点、实现铜-铜直接连接的技术路径。该报道指出，随着堆叠层数走向 16 层与 20 层，此前的 MR-MUF 工艺在 JEDEC 规定的约 775 微米封装高度上限下面临物理高度与散热约束；新一代 HBM4 模块带宽较 HBM3E 提升 100%、能效改善超过 40%，采用 2048 位 I/O 接口，运行速度超过 10Gbps（据 The Buildout 9 月报道，属媒体转述，以厂商官方披露为准）。报道并称，为支持量产爬坡，公司已投入应用材料、Besi 等合作伙伴的混合键合在线系统；当前 12 层产品仍沿用成熟的 Advanced MR-MUF 工艺。
• 产能与供给侧，据财联社 9月8日 报道，三星电子 4 纳米制程已满负荷运转，其 4 纳米产能的约 50% 至 60% 用于生产 HBM4 基础裸片；平泽工厂 4 纳米月产能约 3 万片，其中约 1.5 万片用于 HBM4 基础裸片（据财联社 9 月 8 日综合报道，以公司官方披露为准）。同期报道称，三星电子、SK 海力士与美光均在加快 HBM 扩产，业内此前估计三星与 SK 海力士的 HBM 月产能分别在 15 万至 20 万片区间，美光目标在 2026 年底达到 10 万片（据财联社报道，属业内估计，未经证实）。

混合键合的量产化对薄膜工艺的影响相当直接：该工艺取消了微凸点与底部填充，改为铜-铜直接键合，因此对键合面平坦度、铜表面洁净度与介质层厚度的控制要求显著提高，CMP 与介质沉积的膜厚精度成为良率的敏感变量；而当堆叠从 12 层走向 16 层甚至 20 层，每一层薄膜的微小偏差都会在堆叠中被逐层放大。这也是先进封装对沉积速率与膜厚实时监控需求持续上升的技术原因。

五、薄膜沉积工艺向多场景延伸：ALD 切入器件介质，光学镀膜与 QCM 表征同步推进

• 9月22日 与 9月11日，中国科学院微电子研究所连续完成两项原子层沉积相关采购，采购货物分别为 ALD 系统（成交 428 万元）与「高介电常数介质原子层沉积工艺设备」（合同金额 1662 万元，供应商研微半导体，型号 Fluxus，履约期 5 个月），采购方式为公开招标（据中国政府采购网成交公告及合同公告）。高介电常数介质（High-k）是先进逻辑与存储器件栅介质与电容介质的关键材料，采用 ALD 工艺正是因其对原子级膜厚与界面质量的控制能力。
• 光学镀膜侧，9月初据经济日报报道，旭晖应用材料（应用材料与瑞士 Oerlikon 合资）与台湾光通讯滤光片厂商东典光电签订设备合約，采购金额逾 新台币 10 亿元，用于扩建镀膜产线与产能、研制下世代镀膜技术；东典表示新机台预计 2027 年第一季交货装机、第二季量产，届时镀膜生产线将由 4 条增至 7 条（据经济日报 9 月报道，以公司公告为准）。东典上半年营收同比增长约 132%，应用于 400G／800G 高速光模块的 WDM 滤光片出货量增长近五成，公司称订单能见度已至 2027 年——AI 数据中心建设对精密光学镀膜的拉动仍在延续。
• 表征侧，QCM（石英晶体微天平）与薄膜沉积监控方向的公开研究继续活跃。学术数据库公开记录显示，9月 有多篇相关论文上线，主题涉及石英晶体微天平芯片的集成与信号处理、金属薄膜电极在苛刻化学环境中的稳定性、脱合金纳米多孔铜薄膜的 SERS 与电化学传感，以及电化学石英晶体微天平在电池与电镀过程膜层生长中的原位解析（据 ACS Applied Materials & Interfaces、Electrochimica Acta、Langmuir 等期刊 9 月公开论文记录，具体结论以原文为准）。这些工作虽分属传感与电化学范畴，其技术基座同样是石英晶体的压电谐振特性——与产线上用于沉积速率与膜厚监控的晶振片同源。

三条线索的共同指向是：薄膜沉积的应用边界仍在扩张——从先进逻辑与存储的高介电常数介质，到高速光模块的精密光学镀膜，再到电化学与传感领域的功能薄膜，不同场景对膜厚精度的要求虽有量级差异，但都建立在「沉积速率可测、膜厚可控」这一共同基础上。当工艺推进到原子层级、或光学膜层增加到数十层时，过程监控的角色便从辅助确认转为良率控制的必要环节。

（本文为行业动态栏目月度综述，数据来源：SEMI《全球半导体设备市场统计报告》（WWSEMS）2026 年第二季度数据（9 月 3 日发布）及 2026 年中总半导体设备市场预测报告；中国证券网 9 月 1 日 CSEAC 2026 报道；中国政府采购网成交公告、合同公告及 9 月下旬各高校与科研院所招标结果；中招联合招标采购平台 PECVD 中标候选人公示（9 月 15 日）；远东国际招标成交候选人公示（9 月 9 日）；科创板日报 9 月 10 日集体业绩说明会报道；中国证券报 9 月报道（21 世纪经济报道 9 月 18 日转载）；财联社 9 月 8 日报道；THE ELEC 9 月 3 日报道；The Asia Business Daily、Herald Business 9 月 29 日报道；经济日报 9 月报道；数位时代 9 月报道；与非网 9 月报道；The Buildout 9 月报道；ACS Applied Materials & Interfaces、Electrochimica Acta、Langmuir 等期刊 9 月公开论文记录等公开渠道。文中涉及具体厂商的量产、订单、产能与良率信息均以官方公告或官方披露为准，其余数据与表述引自公开信息，部分业内估计与第三方机构预测未经证实，不构成任何投资建议，仅供业内交流参考。）

联系方式 · 嘉兴晶控电子（JJK）：^[1]www.jjk.cn/contact^[2] · 官网 ^[3]www.jjk.cn^[4]

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